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RGT30NS65DGTL_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Rohm Semiconductor

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原廠料號：RGT30NS65DGTL品牌：Rohm Semiconductor

資料說明：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

RGT30NS65DGTL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的RGT30NS65DGTL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    rgt30ns65dgtl

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    IGBT 650V 30A 133W TO-263S

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RGT30NS65DGTL

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，15A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    18ns/64ns

  • 測試條件：

    400V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LPDS

  • 描述：

    IGBT 650V 30A 133W TO-263S

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Rohm Semiconductor
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ROHM
23+
TO-252
2600
原包裝原標簽特價銷售
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Rohm
20+
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TO-263
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Rohm Semiconductor
22+
LPDS (TO263S)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ROHM
21+
LPDS;TO-263(D2-PAK)
1000
全新原裝鄙視假貨15118075546
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Rohm Semiconductor
2022+
LPDS(TO-263S)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ROHM(羅姆)
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TO263
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Rohm(羅姆)
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NA/
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ROHM Semiconductor
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925
Rohm授權(quán)代理,自營現(xiàn)貨
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