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RFHA1003SR

30MHz TO 512MHz, 9W GaN WIDEBAND

RFMD

RF Micro Devices

RFS1003

5.1-5.9GHzU-NIIPowerAmplifier

ANADIGICS

ANADIGICS, Inc

RFUV1003

GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz

RFMD

RF Micro Devices

RFUV1003SB

GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz

RFMD

RF Micro Devices

RFUV1003SQ

GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz

RFMD

RF Micro Devices

RFUV1003SR

GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz

RFMD

RF Micro Devices

RL1003CT

GLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER

HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd

南通康比電子南通康比電子有限公司

RN1003

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RQG1003UQAQF

NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier

Features ?IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. ?Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RQG1003UQ-TL-E

NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier

Features ?IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. ?Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RFMD
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更多RFHA1003SR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 17:54:00