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RF2L16080CF2

80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Features Highefficiencyandlineargainoperations IntegratedESDprotection Internallyinputmatchedforeaseofuse Largepositiveandnegativegate-sourcevoltagerangeforimprovedclassC operation Excellentthermalstability,lowHCIdrift IncompliancewiththeEuropeanDirect

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多RF2L16080CF2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00

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