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RD06HVF1-101中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RD06HVF1-101
廠商型號(hào)

RD06HVF1-101

功能描述

MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications.

文件大小

381.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MITSUBISHI三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-30 23:00:00

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RD06HVF1-101規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications.

FEATURES

High power gain:

Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz

APPLICATION

For output stage of high power amplifiers in VHF band mobile radio sets.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RD06HVF1-101

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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