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GT20G102

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8.0V(Max.)(IC=130A) ●Enhancement?Mode ●12VGateDrive

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT20G102

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT20G102SM

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=130A) ●Enhancement?Mode ●12VGateDrive

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    RCR20G102JM

  • 制造商:

    RESISTOR

  • 制造商:

    RESISTOR

  • 功能描述:

    RESISTOR, CARBON COMPOSITION, 0.5 W, 5 %, 1000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
2000
40
詢價(jià)
ALLEN-BRADLEY
14
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)
99+
21
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中!
詢價(jià)
更多RCR20G102JM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 8:00:00