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RC4559DE4	文件：365.06 Kbytes Page：10 Pages	DUAL HIGH-PERFORMANCE OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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RC4559M	文件：95.67 Kbytes Page：14 Pages	DualHigh-GainOperationalAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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RC4559P	文件：365.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALHIGH-PERFORMANCEOPERATIONALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
RC4559P	文件：29.64 Kbytes Page：3 Pages	DUALHIGH-PERFORMANCEOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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RM4559T	文件：95.67 Kbytes Page：14 Pages	DualHigh-GainOperationalAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SI4559ADY	文件：253.5 Kbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?CCFLInverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI4559ADY	文件：3.5315 Mbytes Page：7 Pages	N-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchTechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
SI4559ADY	文件：276.76 Kbytes Page：15 Pages	N-andP-Channel60-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
SI4559ADY	文件：275.23 Kbytes Page：15 Pages	N-andP-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI4559ADY	文件：137.33 Kbytes Page：12 Pages	N-andP-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: ??fordefinitionsofcompliancepleasesee ??www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?CCFLInverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI4559EY	文件：84.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S),175?CMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SVINJM4559DS	文件：38.67 Kbytes Page：1 Pages	BLOCKDIAGRAMOFICS ?ThisisthebasicblockdiagramoftheinsidecircuitofIC.Inan actualcircuit,theremaybesometimesidleterminalsorsomedifferent functionsotherthanthebasiccircuit	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
UPC4559	文件：207.13 Kbytes Page：8 Pages	HIGHPERFORMANCEDUALOPERATIONALAMPLIFIER???? SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC4559	文件：393.46 Kbytes Page：10 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Internalfrequencycompensation ?Lownoise ?Outputshortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC4559C	文件：393.46 Kbytes Page：10 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Internalfrequencycompensation ?Lownoise ?Outputshortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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VS4559MS	文件：3.48585 Mbytes Page：7 Pages	N-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER

詳細參數(shù)

型號：
RC4559DE
功能描述：
運算放大器 - 運放 Dual Hi-Performance Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道數(shù)量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
輸入補償電壓：
1 mV
輸入偏流（最大值）：
10 pA
工作電源電壓：
2.7 V to 5.5 V
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
QFN-16
轉(zhuǎn)換速度：
0.89 V/us
關閉：
No
輸出電流：
55 mA
最大工作溫度：
+ 125 C
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多RC4559DE供應商更新時間2025-1-14 10:12:00

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