R49AN368000B1M_電容器薄膜電容器EMI，RFI 抑制-基美

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1+	￥13.59000

廠家型號：
R49AN368000B1M
制造商：
KEMET/基美
庫存數(shù)量：
0
類別：
電容器薄膜電容器
封裝外殼：
徑向
包裝：
散裝
安裝類型：
通孔
更新時間：
2021-9-14 10:50:00

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原廠料號：R49AN368000B1M品牌：KEMET

資料說明：CAP FILM 0.68UF 20% 800VDC RAD

R49AN368000B1M是電容器 > 薄膜電容器。制造商KEMET/基美生產(chǎn)封裝徑向的R49AN368000B1M薄膜電容器薄膜電容器是用于存儲電荷的雙片式器件。這些器件由沉積在基底上并由電介質(zhì)分隔的薄膜層組成。電容值范圍為 0.05 pF 至 500 mF，電壓為 2.5 V 至 100 V，封裝尺寸為 0201 至 1210，容差為 ±0.01 pF 至 ±5％。

芯片型號：
r49an368000b1m
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
KEMET【基美】詳情
廠商全稱：
KEMET Corporation
中文名稱：
基美公司
資料說明：
CAP FILM 0.68UF 20% 800VDC RAD

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
R49AN368000B1M
制造商：
KEMET
類別：
電容器 > 薄膜電容器
系列：
R49
包裝：
散裝
容差：
±20%
額定電壓 - AC：
310V
額定電壓 - DC：
800V
介電材料：
聚丙烯（PP），金屬化
工作溫度：
-40°C ~ 110°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
徑向
大小 / 尺寸：
1.043" 長 x 0.512" 寬（26.50mm x 13.00mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.866"（22.00mm）
端接：
PC 引腳
引線間距：
0.886"（22.50mm）
應用：
EMI，RFI 抑制
等級：
X1
描述：
CAP FILM 0.68UF 20% 800VDC RAD

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R49AN368000B1M_電容器 薄膜電容器EMI，RFI 抑制-基美

R49AN368000B1M

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