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R4350

Silicon Power Rectifier

SiliconPowerRectifier ?Softrecovery ?GlassPassivatedDie ?2500AmpsSurgeRating ?Glasstometalsealconstruction ?VRRMto1600V

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

R4350

包裝：散裝 封裝/外殼：DO-205AA，DO-8，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：STD RECTIFIER

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

R4350TS

包裝：散裝 封裝/外殼：DO-205AA，DO-8，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：STD RECTIFIER

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

RO4350

RFPowerFieldEffectTransistor

865--960MHz,28WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerfor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350

RFPowerLDMOSTransistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This50wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts, IDQ=1800mA,Pout=50WattsAvg.,InputSign

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RO4350B

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RO4350B

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RO4350B

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RO4350B

GaNDohertyHybridAmplifier

RFHIC

rfhic

RO4350B

RFPowerLDMOSTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

RFPowerLDMOSTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

RFPowerLDMOSTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

GaNDohertyHybridAmplifier

RFHIC

rfhic

RO4350B

RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

GaNDohertyHybridAmplifier

RFHIC

rfhic

RO4350B

GaNDohertyHybridAmplifier

Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange

RFHIC

rfhic

RO4350B

GaNHybridPowerAmplifier

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

RO4350B

RFPowerFieldEffectTransistorsN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

RO4350B

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

RO4350B

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    R4350

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    150A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-205AA，DO-8，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-205AA（DO-8）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    STD RECTIFIER

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROSEMI
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號增稅票
 詢價
MSC
18+
MODULE
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
MSC
2022+
DO-8
500
長期供應(yīng),價格優(yōu)勢,全新原裝,支持實單,
 詢價
Microchip Technology
24+
DO-205AA(DO-8)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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ZILOG
22+
PLCC44
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⊙⊙新加坡大量現(xiàn)貨庫存,深圳常備現(xiàn)貨!歡迎查詢!⊙
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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全新原裝100真實現(xiàn)貨供應(yīng)
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TO-263
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全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
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TO-263
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特價熱銷現(xiàn)貨庫存100%原裝正品歡迎來電訂購!
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更多R4350供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 11:18:00

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