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PZ3304QV	文件：1.1844 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RCLAMP3304N	文件：2.77044 Mbytes Page：5 Pages	4-Line3.3VESDProtectionDiodeArray Features ●Ultralowleakage:nAlevel ●Ultralowoperatingvoltage:3.3V ●Ultralowclampingvoltage ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
RCLAMP3304N	文件：583.69 Kbytes Page：4 Pages	4-Line3.3VESDProtectionDiodeArray Features Ultralowleakage:nAlevel Ultralowoperatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±25kV Contactdischarge:±15kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)25A(8/20μs)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
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RCLAMP3304P	文件：1.2662 Mbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray Features Ultralowcapacitance:0.4pF(10toGND) Ultralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:3.3V Lowclampingvoltage Protectsonepowerlineandfourdatalines Flow-throughpackage Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±25kV Conta	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
RCLAMP3304P	文件：200.04 Kbytes Page：11 Pages	RailClamp?2.5V&3.3VTVSArrays	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
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SP3304N	文件：1.28916 Mbytes Page：4 Pages	TheSP3304Nintegrates4channelsoflowcapacitancediodeswithanadditionalzenerdiodetoprotectsensitiveI/OpinsagainstlightninginducedsurgeeventsandESD. Description TheSP3304Nintegrates4channelsoflowcapacitancediodeswithanadditionalzenerdiodetoprotectsensitiveI/OpinsagainstlightninginducedsurgeeventsandESD.Thisrobustdevicecansafelyabsorbupto20AperIEC61000-4-52ndEdition(tP=8/20μs)withoutperformancedegrada	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SP3304NUTG	文件：1.28916 Mbytes Page：4 Pages	TheSP3304Nintegrates4channelsoflowcapacitancediodeswithanadditionalzenerdiodetoprotectsensitiveI/OpinsagainstlightninginducedsurgeeventsandESD. Description TheSP3304Nintegrates4channelsoflowcapacitancediodeswithanadditionalzenerdiodetoprotectsensitiveI/OpinsagainstlightninginducedsurgeeventsandESD.Thisrobustdevicecansafelyabsorbupto20AperIEC61000-4-52ndEdition(tP=8/20μs)withoutperformancedegrada	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SP3304NUTG	文件：3.13128 Mbytes Page：5 Pages	4-Line3.3VESDProtectionDiodeArray Features Ultralowleakage:nAlevel Ultralowoperatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: —\|EC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+25kV Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —IEC61000-4-5(Lightning)25A(8/20ps)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPESD3304N	文件：1.49218 Mbytes Page：5 Pages	4-Line3.3VESDProtectionDiodeArray Features Ultralowleakage:nAlevel Ultralowoperatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: —\|EC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+25kV Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —IEC61000-4-5(Lightning)25A(8/20ps)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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