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PZ28F064M29EWBX

Parallel NOR Flash Embedded Memory

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PZ28F064M29EWBX

Parallel NOR Flash Embedded Memory

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PZ28F064M29EWBX

包裝:托盤 封裝/外殼:48-VFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA

Micron Technology Inc.

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JR28F064M29EWBA

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

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JR28F064M29EWHA

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

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JR28F064M29EWHB

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

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JR28F064M29EWLA

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ParallelNORFlashEmbeddedMemory

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JS28F064M29EWXX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

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PC28F064M29EWBX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

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鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PC28F064M29EWBX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PC28F064M29EWHX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PC28F064M29EWHX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PC28F064M29EWLX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

PC28F064M29EWLX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

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PC28F064M29EWTX

ParallelNORFlashEmbeddedMemory

MicronMicron Technology

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PC28F064M29EWTX

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鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PZ28F064M29EWBX

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量:

    64Mb(8M x 8,4M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    60ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-BGA(6x8)

  • 描述:

    IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Micron Technology Inc.
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