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PXFC211507SCV1R250XTMA1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PXFC211507SCV1R250XTMA1
廠商型號(hào)

PXFC211507SCV1R250XTMA1

參數(shù)屬性

PXFC211507SCV1R250XTMA1 封裝/外殼為H-37248G-4/2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
IC AMP RF LDMOS

封裝外殼

H-37248G-4/2

文件大小

201.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-19 20:00:00

PXFC211507SCV1R250XTMA1規(guī)格書(shū)詳情

PXFC211507SCV1R250XTMA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PXFC211507SCV1R250XTMA1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PXFC211507SCV1R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    20.4dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 封裝/外殼:

    H-37248G-4/2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248G-4/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

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