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PTFB213208FV

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 - 2170 MHz

CreeCree, Inc

科銳

PTFB213208FV

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213208FVV1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213208FVV1R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213208FVV1R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213208FVV1XWSA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB213208FV-V1-R250

包裝:帶 封裝/外殼:H-37275G-6/2 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PTFB213208FV-V2-R0

包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PTFB213208FV-V2-R2

包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

詳細參數(shù)

  • 型號:

    PTFB213208FV

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case H-34275G-6/2 T/R

  • 功能描述:

    RFP-LDMOS 9 - Tape and Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
2017+
NA
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Infineon Technologies
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9000
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INFINEON/英飛凌
22+
NA
10500
只有原裝 低價 實單必成
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INFINEON/英飛凌
23+
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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Infineon Technologies
23+
9000
原裝正品,支持實單
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Cree/Wolfspeed
2022+
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多PTFB213208FV供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 18:08:00