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PTFB211803ELV1R0XTMA1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTFB211803ELV1R0XTMA1 |
| 參數(shù)屬性 | PTFB211803ELV1R0XTMA1 封裝/外殼為H-33288-6；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS H-33288-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封裝外殼 | H-33288-6 |
| 文件大小 |
819.39 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-14 9:12:00 |
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PTFB211803ELV1R0XTMA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211803ELV1R0XTMA1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFB211803ELV1R0XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類(lèi)型：
LDMOS
- 頻率：
2.17GHz
- 增益：
17.5dB
- 功率 - 輸出：
40W
- 封裝/外殼：
H-33288-6
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-33288-6
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-33288-6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
INFINEON |
28520 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
H-34288-4 |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
H-34288-4 |
57550 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-33288-6 |
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
H-34288-4 |
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
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INFINEON |
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詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
H332886 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |
