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PTFA181001GL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PTFA181001GL |
參數(shù)屬性 | PTFA181001GL 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 1805-1880 MHz |
封裝外殼 | 2-扁平封裝,葉片引線 |
文件大小 |
412.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-31 15:00:00 |
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更多PTFA181001GL規(guī)格書詳情
PTFA181001GL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA181001GL晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTFA181001GL V1 R250
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.88GHz
- 增益:
16.5dB
- 額定電流(安培):
1μA
- 功率 - 輸出:
100W
- 封裝/外殼:
2-扁平封裝,葉片引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-63248-2
- 描述:
IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
詢價 | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-63248-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
NA |
10500 |
只有原裝 低價 實(shí)單必成 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-63248-2 |
21000 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
632482 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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詢價 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
2-扁平封裝 葉片引線 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價 |