PTFA091201FV4R250XTMA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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原廠料號:PTFA091201FV4R250XTMA1品牌:Infineon Technologies

全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷

PTFA091201FV4R250XTMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝H-37248-2/2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭的PTFA091201FV4R250XTMA1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    PTFA091201FV4R250XTMA1

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    10 頁

  • 文件大小:

    8758.84 kb

  • 資料說明:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA091201FV4R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    110W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊先生

  • 手機:

    13682380609

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-88850894/13682380609

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    0755-88850894

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強賽格電子市場69樓6904B-6905A室