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PTFA080551E V1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

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原廠料號(hào)：PTFA080551E V1品牌：Infineon Technologies

資料說明：IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

PTFA080551E V1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝H-36265-2的PTFA080551E V1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    ptfa080551e%20v1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA080551E V1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    960MHz

  • 增益：

    18.5dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    55W

  • 封裝/外殼：

    H-36265-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-36265-2

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

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