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PTFA070601F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PTFA070601F |
參數(shù)屬性 | PTFA070601F 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF LDMOS 60W H37265-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 725 ??770 MHz |
封裝外殼 | 2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭 |
文件大小 |
255 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-7 10:12:00 |
PTFA070601F規(guī)格書詳情
PTFA070601F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA070601F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTFA070601FV4XWSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
760MHz
- 增益:
19.5dB
- 功率 - 輸出:
60W
- 封裝/外殼:
2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-37265-2
- 描述:
FET RF LDMOS 60W H37265-2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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INFINEON |
20+ |
高頻管 |
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詢價(jià) | ||
Infineon |
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NA |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA |
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37265-2 |
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詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
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9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
H372652 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
100000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
NA |
57550 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
H-37265-2 |
38550 |
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詢價(jià) |