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PTF191601E	文件：61.2 Kbytes Page：4 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz Description ThePTF191601isa160W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforGSMandEDGEapplicationsinthe1930to1990MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Broadbandinternalmatching ?TypicalEDGEperformance -Averageo	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
PTF191601E	文件：206.33 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz Description ThePTF191601EandPTF191601Fare160-watt,internally-matchedGOLDMOSFETsintendedforGSMEDGEandCDMAapplicationsinthe1930to1990MHzband.Thermally-enhancedpackagingprovidesthecoolestoperationavailable.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandre	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
PTF191601	文件：61.2 Kbytes Page：4 Pages	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor160W,1930-1990MHz Description ThePTF191601isa160W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforGSMandEDGEapplicationsinthe1930to1990MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Broadbandinternalmatching ?TypicalEDGEperformance -Averageo	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
PTF191601F	文件：206.33 Kbytes Page：10 Pages	Thermally-EnhnacedHighPowerRFLDMOSFETs160W,1930-1990MHz Description ThePTF191601EandPTF191601Fare160-watt,internally-matchedGOLDMOSFETsintendedforGSMEDGEandCDMAapplicationsinthe1930to1990MHzband.Thermally-enhancedpackagingprovidesthecoolestoperationavailable.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandre	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細參數(shù)

型號：
PTF191601E
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz

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更多PTF191601E供應商更新時間2024-10-26 15:11:00

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