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PTF10052

35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor

Description ThePTF10052isa35WattLDMOSFETintendedforlargesignalamplifierapplicationsto1.0GHz.Itoperatesat55efficiencyand13.5dBofgain.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizationensureexcellentdevicelifetimeandreliability. ?Performanceat960MHz,28V

EricssonEricsson Microelectronics

愛立信

10052-C

10052ExtremeCompatibleTransceiverSFP1000Base-LX(1310nm,SMF,10km)

Features ATGBICS10052?1000Base-LXsupportsadistanceofupto10kmoversinglemodefibre?(SMF)usingawavelengthof1310nmviaanLCconnector. ?Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time?monitoringoftheparametersofthefibre?optictransceiver. ?Ourproduc

ATGBICS

ATGBICS by Approved Technology

10052H-C

10052HExtremeCompatibleTransceiverSFP1000Base-LX(1310nm,SMF,10km)

Features ATGBICS10052H?1000Base-LXsupportsadistanceofupto10kmoversinglemodefibre?(SMF)usingawavelengthof1310nmviaanLCconnector. ?Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time?monitoringoftheparametersofthefibre?optictransceiver. ?Ourprodu

ATGBICS

ATGBICS by Approved Technology

LSD10052-XX

LEDDisplaysNumeric7-segment

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

WPANT10052

VerticallyPolarizedWi-FiEmbeddedAntenna

WPI

World Produts Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PTF10052

  • 功能描述：

    射頻放大器 RF LDMOS Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型：

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率：

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB：

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點：

    37.5 dBm

  • 功率增益類型：

    32 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.85 dB

  • 工作電源電壓：

    5 V

  • 電源電流：

    125 mA

  • 測試頻率：

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
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ERICSSON/愛立信
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ERICSSON/愛立信
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11200
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INFINEON
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8000
終端可免費供樣,支持BOM配單
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更多PTF10052供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 8:24:00

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