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PTF080101M V1_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-英飛凌

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原廠料號:PTF080101M V1品牌:Infineon Technologies

資料說明:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

PTF080101M V1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)的PTF080101M V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    ptf080101m%20v1

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  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    PTF080101M V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    PG-RFP-10

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

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