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PSMN057-200P中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PSMN057-200P
廠商型號

PSMN057-200P

功能描述

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

絲印標(biāo)識

PSMN057

封裝外殼

SOT78

文件大小

250.06 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 20:00:00

PSMN057-200P規(guī)格書詳情

1. General description

SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

2. Features and benefits

? Higher operating power due to low thermal resistance

? Low conduction losses due to low on-state resistance

? Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

3. Applications

? DC-to-DC converters

? Switched-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PSMN057-200P

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-200

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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