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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
PS11012	文件：409.16 Kbytes Page：6 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED TYPE INTEGRATEDFUNCTIONSANDFEATURES ?Converterbridgefor3phaseAC-to-DCpowerconversion. ?Circuitfordynamicbrakingofmotorregenerativeenergy. ?3-phaseIGBTinverterbridgeconfiguredbythelatest3rd.generationIGBTanddiodetechnology. INTEGRATEDDRIVE,PROTECTIONANDSYSTEMCON	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
PS11012	文件：285.45 Kbytes Page：6 Pages	Application Specific Intelligent Power Module FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE INTEGRATEDFUNCTIONSANDFEATURES ?Converterbridgefor3phaseAC-to-DCpowerconversion. ?Circuitfordynamicbrakingofmotorregenerativeenergy. ?3-phaseIGBTinverterbridgeconfiguredbythelatest3rd.generationIGBTanddiodetechnology. INTEGRATEDDRIVE,PROTECTIONANDSYSTEMCON	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機(jī)三菱電機(jī)半導(dǎo)體（Mitsubishi Electric Semiconductor）	Mitsubishi
PS11012	文件：254.53 Kbytes Page：3 Pages	Patch Lead - CAT 5E PatchLead-CAT5E ElectricalTest 100openshortandmisswiretest	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
PS11012	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：40-PowerDIP 模塊（2.835"，72.00mm），33 引線類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品功率驅(qū)動(dòng)器模塊描述：MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 4A	Powerex Inc.Powerex, Inc 鑫鴻鑫鴻電子	Powerex Inc.
11012	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TESTJACKS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
11012-R	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TESTJACKS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
ACV11012	文件：134.18 Kbytes Page：4 Pages	AUTOMOTIVELOWPROFILEMICRO-ISO/MICRO-280RELAY FEATURES ?Lowprofile: 22.5mm(L)×15mm(W)×15.7mm(H).886inch(L)×.591inch(W)×.618inch(H) ?Lowtemperaturerise Terminaltemperaturehasbeenreducedcomparedwithusingourconventionalproduct ?Lowsoundpressurelevel Noiselevelhasbeenreducedapprox.10dBcom	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
ACV11012	文件：89.05 Kbytes Page：4 Pages	AUTOMOTIVELOWPROFILEMICRO-ISORELAYHeadlights	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
ADJ11012	文件：142.7 Kbytes Page：9 Pages	1-pole/2-pole16ApolarizedpowerrelaysVarietyofcontactarrangements FEATURES 1.Varietyofcontactarrangements Widelineupof1FormC,1FormA,1FormB,2FormC,2FormA,2FormB,1FormA1FormB. 2.Latchingoperation Latchingviaapolarizedmagneticcircuitstructureallowsremoteoperationandlowerenergyconsumption 3.Compactwithhighc	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AHN11012	文件：136.52 Kbytes Page：6 Pages	Relayforcontrolpanelof1c10A,2c5Aand1a16A	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AHN11012	文件：136.5 Kbytes Page：6 Pages	Slimandcompactsize	IRF International Rectifier	IRF
EB-A11012-XX-B	文件：79.49 Kbytes Page：1 Pages	EUROBLOCK	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
L-11012	文件：26.47 Kbytes Page：1 Pages	CURRENTSENSEINDUCTORS	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
MJ11012	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MJ11012	文件：19.71 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS) SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
MJ11012	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC?20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200C	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJ11012	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShun	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ11012	文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
PS11012
制造商：
Powerex Inc.
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊
包裝：
管件
類型：
IGBT
配置：
3 相
電壓 - 隔離：
2500Vrms
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
40-PowerDIP 模塊（2.835"，72.00mm），33 引線
描述：
MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 4A

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	PS11012	MITSUBISHI/三菱	07+	MODULE	1290	主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126	詢價(jià)
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深圳市勤思達(dá)科技有限公司	PS11012	三菱			100	原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠	詢價(jià)
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更多PS11012供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 17:06:00

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