IGBT模塊,場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊價(jià)格,場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊批發(fā),場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊報(bào)價(jià)"> IGBT模塊頻道第7頁為您提供場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊供應(yīng)商貨源場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊批發(fā)價(jià)格信息，展示場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊生產(chǎn)商型號庫存數(shù)量廠家封裝批號說明貨期品質(zhì)優(yōu)勢和場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊參數(shù)封裝尺寸圖片信息">

首頁>電子元器件>場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊

CSF100R12A6H1200V100A
更新時(shí)間 2023-5-26 14:10:00

型號CSF100R12A6H1200V100A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1200V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 逆變焊機(jī) 感應(yīng)加熱 高頻開關(guān)應(yīng)用 逆變器 VCES=1200V，ICnom=100A/ICRM=200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊

CSF100R17A61700V100A
更新時(shí)間 2023-5-26 14:10:00

型號CSF100R17A61700V100A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1700V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 變頻器 UPS 伺服 逆變器 VCES=1700V，ICnom=100A/ICRM=200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊

CSF75R17A61700V75A
更新時(shí)間 2023-5-26 13:58:00

型號CSF75R17A61700V75A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1700V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 變頻器 UPS 伺服 逆變器 VCES=1700V，ICnom=75A/ICRM=150A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊

CSF75R12A6H1200V75A
更新時(shí)間 2023-5-26 13:50:00

型號CSF75R12A6H1200V75A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1200V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 逆變焊機(jī) 感應(yīng)加熱 高頻開關(guān)應(yīng)用 逆變器 VCES=1200V，ICnom=75A/ICRM=150A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊

CSF50R12A6H1200V50A
更新時(shí)間 2023-5-26 13:47:00

型號CSF50R12A6H1200V50A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 1200V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 逆變焊機(jī) 感應(yīng)加熱 高頻開關(guān)應(yīng)用 逆變器 VCES=1200V，ICnom=50A/ICRM=100A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半橋 IGBT 模塊

CS3L150R07G6650V150A
更新時(shí)間 2023-5-26 11:32:00

型號CS3L150R07G6650V150A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 650V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 三電平應(yīng)用 UPS 光伏應(yīng)用 VCES=650V，ICnom=150A/ICRM=300A 3-Level IGBT Module

CS3L100R07G6650V100A
更新時(shí)間 2023-5-26 11:25:00

型號CS3L100R07G6650V100A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 電氣特性: 650V溝槽柵/場終止工藝 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù) 典型應(yīng)用: 三電平應(yīng)用 UPS 光伏應(yīng)用 VCES=650V，ICnom=100A/ICRM=200A CS3L100R07G6650V100A庫存現(xiàn)貨價(jià)格科瑞半導(dǎo)體/CorisemiPDF規(guī)格書IGBT模塊23+電氣特性: 650V溝槽柵/場終止工

PEB3332HTV2.2
更新時(shí)間 2022-12-16 10:28:00

型號PEB3332HTV2.2 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 只做原裝,可開13個(gè)點(diǎn)稅票 PEB3332HTV2.2貨源供應(yīng)商報(bào)價(jià)INFINEON/英飛凌PDF資料QFP0830+只做原裝,可開13個(gè)點(diǎn)稅票

PM4325-BI
更新時(shí)間 2022-11-5 10:14:00

型號PM4325-BI 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 PM4325-BI

10000+
GF19NC60KD
更新時(shí)間 2022-11-5 10:14:00

型號GF19NC60KD 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 ST IGBT GF19NC60KD 600V 19A

1+
74HC132D
更新時(shí)間 2022-5-24 20:24:00

型號74HC132D 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 原裝現(xiàn)貨,一站式配套 74HC132D批發(fā)供應(yīng)采購NXP/恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊SOP1421+原裝現(xiàn)貨,一站式配套

ACT8600QJ162-T
更新時(shí)間 2022-5-18 8:38:00

型號ACT8600QJ162-T 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 ACT8600QJ162-T其他被動(dòng)元件現(xiàn)貨供應(yīng)批發(fā)ACTIVE-SEMIic資料下載TQFN4014+

IGW100N60H3
更新時(shí)間 2019-12-18 10:13:00

型號IGW100N60H3 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 IGBT晶體管 IGW100N60H3 量大從優(yōu)

SKKT57
更新時(shí)間 2019-7-16 17:16:00

型號SKKT57 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 深圳宏捷佳只供全新原裝，真實(shí)庫存，原廠獨(dú)立經(jīng)銷，含增值稅價(jià)格優(yōu)勢！

STK621-220A
更新時(shí)間 2019-7-16 17:16:00

型號STK621-220A 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 深圳宏捷佳只供全新原裝，真實(shí)庫存，原廠獨(dú)立經(jīng)銷，含增值稅價(jià)格優(yōu)勢！

FP100R06KE3
更新時(shí)間 2018-11-5 8:58:00

型號FP100R06KE3 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 原裝絕對有貨 FP100R06KE3

PS21869-AP
更新時(shí)間 2018-9-19 10:25:00

型號PS21869-AP 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 全新原裝真實(shí)庫存含13點(diǎn)增值稅票！ PS21869-AP

SKB30/16A1
更新時(shí)間 2018-1-17 14:45:00

型號SKB30/16A1 庫存搜索

詳情場效應(yīng)管/MOSFET>IGBT模塊 SKB30/16A1貨源供應(yīng)商報(bào)價(jià)SEMIKRON技術(shù)參數(shù)模塊1321+我司可控硅/晶閘管都為專利豐紳，品質(zhì)保證