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PMZ250UN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMZ250UN
廠商型號

PMZ250UN

功能描述

N-channel TrenchMOS extremely low level FET

文件大小

209.03 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 20:00:00

PMZ250UN規(guī)格書詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using

TrenchMOS technology.

1.2 Features

1.3 Applications

n Profile 55 lower than SOT23 n Footprint 90 smaller than SOT23

n Lower on-state resistance n Low threshold voltage

n Leadless package n Fast switching

n Driver circuits n Load switching in portable appliances

n DC-to-DC converters

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PMZ250UN

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE7 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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