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PMR100HZPJU1L0	文件：98.36 Kbytes Page：3 Pages	Ultra low ohmic resistors for current detection	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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PMR100HZPJU10L	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：2512（6432 公制）類別：電阻器片式電阻器 - 表面貼裝描述：RES 0.01 OHM 5% 2W 2512	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
PMR100HZPJU5L0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：2512（6432 公制）類別：電阻器片式電阻器 - 表面貼裝描述：RES 0.005 OHM 5% 2W 2512	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
PMR100HZPJU5L0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：2512（6432 公制）類別：電阻器片式電阻器 - 表面貼裝描述：RES 0.005 OHM 5% 2W 2512	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
PMR100-SERIES	文件：83.21 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-lowOhmicResistorsforCurrentDetection	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
PMV100ENEA	文件：723.49 Kbytes Page：16 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMV100EPA	文件：280.55 Kbytes Page：14 Pages	60V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PMX100UN	文件：277.8 Kbytes Page：14 Pages	20V,N-channelTrenchMOSFET N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0603-3 (SOT8013)Surface-MountedDevice(SMD)usingTrenchMOSFETtechnology. ?Lowthresholdvoltage ?Leadlessultrasmallpackage;0.63x0.33x0.25mm ?TrenchMOSFETtechnology ?Lowprofile(0.25mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMX100UNE	文件：274.23 Kbytes Page：14 Pages	20V,N-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0603-3 (SOT8013)Surface-MountedDevice(SMD)usingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Lowprofile(0.25mm) ?Electr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PN100	文件：44.49 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto300mA. ?Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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詳細參數(shù)

型號：
PMR100HZPJ
功能描述：
RES .010 OHM 2W 5% 2512 SMD
RoHS：
是
類別：
電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
系列：
PMR100
產(chǎn)品目錄繪圖：
ERA-(2,6)A Series
標準包裝：
1
系列：
ERA-3A
電阻（歐姆）：
43k
功率（瓦特）：
0.1W，1/10W
復合體：
薄膜
特點：
-
溫度系數(shù)：
±25ppm/°C
容差：
±0.1%
封裝/外殼：
0603（1608 公制）
尺寸/尺寸：
0.063 L x 0.031 W（1.60mm x 0.80mm）
高度：
0.022（0.55mm）
端子數(shù)：
2
包裝：
剪切帶(CT)
產(chǎn)品目錄頁面：
2242(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
P43KDBCT

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