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PMGD8000LN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMGD8000LN
廠商型號(hào)

PMGD8000LN

功能描述

Dual mTrenchMOS? logic level FET

文件大小

337.29 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-6 20:17:00

PMGD8000LN規(guī)格書詳情

1. Description

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS? technology.

Product availability:

PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).

2. Features

n TrenchMOS? technology

n Very fast switching

n Logic level compatible

n Subminiature surface mount package.

3. Applications

n Battery management

n High-speed switch

n Low power DC-to-DC converter.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PMGD8000LN

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL NN SOT-363

  • 功能描述:

    MOSFET, DUAL, NN, SOT-363

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
24+
SC70-6
9800
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