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PMDPB58UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMDPB58UPE
廠商型號(hào)

PMDPB58UPE

功能描述

20 V dual P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

2A

封裝外殼

SOT1118

文件大小

707.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-18 20:00:00

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PMDPB58UPE規(guī)格書詳情

1. General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

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