PMDPB58UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	PMDPB58UPE
功能描述	20 V dual P-channel Trench MOSFET
絲印標識	2A
封裝外殼	SOT1118
文件大小	707.4 Kbytes
頁面數(shù)量	14 頁
生產(chǎn)廠商	Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱	NEXPERIA【安世】
中文名稱	安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-6-16 20:00:00
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1. General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

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