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PMDPB55XP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMDPB55XP
廠商型號

PMDPB55XP

功能描述

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

1Z

封裝外殼

SOT1118

文件大小

1.63266 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-17 22:59:00

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PMDPB55XP規(guī)格書詳情

1.1 General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless

ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD

plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent

thermal conduction

1.3 Applications

? Charging switch for portable devices

? DC/DC converters

? Small brushless DC motor drive

? Power management in battery-driven

portables

? Hard disc and computing power

management

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