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PMCB60XNE

Marking：M2；Package：SOT8026；30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDSN1006-3 (SOT8026)Surface-MountedDevice(SMD)packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?Ultrasmallpackage:1.0

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多PMCB60XNE供應商 更新時間2025-1-29 10:33:00

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