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PJD18N20中文資料強(qiáng)茂數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PJD18N20
廠商型號(hào)

PJD18N20

功能描述

200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

1.20857 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PANJIT強(qiáng)茂

中文名稱

強(qiáng)茂股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-15 23:00:00

PJD18N20規(guī)格書詳情

Features

? RDS(ON), VGS@10V,ID@9A<160mΩ

? High switching speed

? Improved dv/dt capability

? Low Gate Charge

? Low reverse transfer capacitance

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 standard

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PANJIT/強(qiáng)茂
23+
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12250
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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