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PHPT61006PY-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHPT61006PY-Q
廠商型號(hào)

PHPT61006PY-Q

功能描述

100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor

絲印標(biāo)識(shí)

1006PAB

封裝外殼

SOT669

文件大小

279.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-17 23:00:00

PHPT61006PY-Q規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power

plastic package.

NPN complement: PHPT61006NY-Q

2. Features and benefits

? High thermal power dissipation capability

? High temperature applications up to 175 °C

? Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK

? High energy efficiency due to less heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Power management

? Load switch

? Linear mode voltage regulator

? Backlighting applications

? Motor drive

? Relay replacement

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