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PHPT60610PY分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PHPT60610PY |
| 參數(shù)屬性 | PHPT60610PY 封裝/外殼為SC-100，SOT-669；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 10A LFPAK56 PWRSO8 |
| 功能描述 | 60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor |
| 封裝外殼 | SC-100，SOT-669 |
| 文件大小 |
248.55 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
17 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-29 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PHPT60610PYX
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
470mV @ 1A，10A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
- 頻率 - 躍遷：
85MHz
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-100，SOT-669
- 供應(yīng)商器件封裝：
LFPAK56，Power-SO8
- 描述：
TRANS PNP 60V 10A LFPAK56 PWRSO8
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT669 |
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SOT669 |
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SOT669 |
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原裝正品 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT669 |
60000 |
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