PHP6N10E中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PHP6N10E |
| 功能描述 | PowerMOS transistor |
| 文件大小 |
53.42 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
PHI【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-12 23:00:00 |
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GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control circuits and general purpose switching applications.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
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PHI |
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