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PHP60N06T	文件：64.319 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJD60N06	文件：385.14 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD60N06A	文件：409.71 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD60N06SA-AU	文件：485.24 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
RFP60N06	文件：412.33 Kbytes Page：8 Pages	50A,60V,0.022Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	Intersil Intersil Corporation	Intersil
SQM60N06	文件：197.52 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveN-Channel60V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SSP60N06	文件：268.24 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
STP60N06	文件：347.24 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.0172 ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■VERYLOWRDS(on) ■APPLICATIONORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP60N06FI	文件：347.24 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.0172 ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■VERYLOWRDS(on) ■APPLICATIONORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
SUP60N06	文件：72.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET?PowerMOSFETs ProductSummary ??V(BR)DSS??60V ??rDS(on)???0.018Ω ??ID????????60A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SW60N06T	文件：751.56 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSM60N06	文件：302.16 Kbytes Page：4 Pages	60VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM60N06	文件：71.47 Kbytes Page：4 Pages	60VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM60N06CP	文件：71.47 Kbytes Page：4 Pages	60VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM60N06CP	文件：2.23501 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
TSM60N06CPROG	文件：302.16 Kbytes Page：4 Pages	60VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
UTT60N06	文件：366.56 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
WSF60N06	文件：2.2349 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
WSF60N06	文件：610.05 Kbytes Page：5 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司	WIINSOK
WSF60N06A	文件：2.38399 Mbytes Page：5 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司	WIINSOK

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更多PHP60N06T供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 16:00:00

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