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PHP21N06LT中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHP21N06LT
廠商型號(hào)

PHP21N06LT

功能描述

N-channel TrenchMOS? transistor Logic level FET

文件大小

233.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-12 17:24:00

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PHP21N06LT規(guī)格書詳情

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

? Logic level compatible

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

Applications:-

? d.c. to d.c. converters

? switched mode power supplies

The PHP21N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB21N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.

The PHD21N06LT is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHP21N06LT

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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