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PHP21N06LT中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHP21N06LT
廠商型號(hào)

PHP21N06LT

功能描述

TrenchMOS transistor Logic level FET

文件大小

82.44 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-8 11:12:00

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PHP21N06LT規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

? Logic level compatible

Applications:

? d.c. to d.c. converters

? switched mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHP21N06LT

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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