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PHP191NQ06LT中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHP191NQ06LT
廠商型號(hào)

PHP191NQ06LT
功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET
文件大小

330.88 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-13 10:02:00
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PHP191NQ06LT規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

General industrial applications

Motors, lamps and solenoids

Uninterruptible power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    PHP191NQ06LT

  • 功能描述：

    MOSFET Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PH
24+
SOT78TO-220AB
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恩XP
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