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PHKD3NQ10T

DualN-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription DualstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefit

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

NEXPERIA

PHKD3NQ10T

DualN-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?Dualdevice ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowprofilesurfacemountpackage Applications:- ?Motorandrelaydrivers ?d.c.tod.c.conver

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PHPT60603NYX

NEXPERIA
con

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

上傳：北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司

NEXPERIA

PHR-10

JST
N/A

JSTJST Mfg. Co., Ltd.

JST集團日本圧著端子製造株式會社

上傳：深圳市云泰半導(dǎo)體科技有限公司二部

JST

PHR-10

JST/日壓
CONN

JST/日壓

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更多PHKD3NQ10T-VB供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 9:06:00

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