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PHD9NQ20T中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD9NQ20T
廠商型號

PHD9NQ20T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

299.79 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-24 22:59:00

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PHD9NQ20T規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.4Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHD9NQ20T

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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