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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
PHD6N10E	文件：70.04 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
6N10	文件：147.61 Kbytes Page：4 Pages	6Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N10G-TND-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N10L-TND-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N10Z	文件：197.84 Kbytes Page：4 Pages	6.5Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
FIR6N10LTG	文件：8.05172 Mbytes Page：7 Pages	GenerALDescription	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HLDD6N10	文件：1.01927 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HLDD6N10	文件：723.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HM6N10	文件：688.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM6N10R	文件：593.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LMTM6N10	文件：930.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MTD6N10	文件：345.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD6N10	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR,N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE,DPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrealydrivers.	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD6N10E	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD6N10E	文件：211.53 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.400OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP6N10	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N10	文件：172.33 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	Motorola Motorola, Inc	Motorola
PHP6N10E	文件：53.42 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJD6N10A	文件：402.59 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@3A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD6N10A	文件：401.65 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PHD6N10E
制造商：
PHILIPS
制造商全稱(chēng)：
NXP Semiconductors
功能描述：
PowerMOS transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	PHD6N10E	PHILIPS/飛利浦	24+		20000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	PHD6N10E	PHILIPS	05+	原廠原裝	568	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	PHD6N10E		24+		3000	公司存貨	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	PHD6N10E	NXP	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳兆威電子有限公司	PHD6N10E	NXP	20+	TO-252	90000	全新原裝正品/庫(kù)存充足	詢(xún)價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	PHD6N10E	PHILIPS	2023+	TO-252	80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	PHD6N10E	PHILIPS	21+	TO-252	35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	PHD6N10E	ON/安森美	23+	TO-2203L	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢(xún)價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	PHD6N10E	PHILIPS	1709+	TO-252/D-	32500	普通	詢(xún)價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	PHD6N10E	N	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)

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