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NP55N04SLG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP55N04SLG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NP55N04SLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Channeltemperature175degreerating ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ?RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP55N04SUG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NP55N04SUG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP55N04SUG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP55N04SUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerating ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ?Lowinputcapacitance Ciss=3400pFT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

PJD55N04S-AU

40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

PJD55N04V-AU

40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PHB55N04LT

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PHB55N04LT供應商 更新時間2025-2-26 11:06:00

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