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RJL5018DPK	文件：173.96 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ●Built-infastrecoverydiode ●Lowon-resistance RDS(on)=0.14Ωtyp.(atID=17.5A,VGS=10V,Ta=25°C) ●Lowleakagecurrent ●Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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兆億微波(北京)科技有限公司	PEWAD5018	PE			102		詢價

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