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PESD5V0S2BQAZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：3-XDFN 裸露焊盤 類別：電路保護 TVS - 二極管 描述：TVS DIODE 5VWM 11.5VC DFN1010D-3

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PESD5V0S2BT

LowcapacitancebidirectionaldoubleESDprotectiondiode

Generaldescription LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwodatalinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■Bidirectiona

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PESD5V0S2BT

Lowcapacitancebi-directionaldoubleESDprotectiondiodeinSOT23package

Generaldescription Lowcapacitancebi-directionaldoubleESDprotectiondiodeinthesmallSOT23plasticpackagedesignedtoprotect2datalinesfromthedamagecausedbyElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. Features ■Bi-directionalESDprotectionof2lines ■Low

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD5V0S2BT

LowcapacitancebidirectionaldoubleESDprotectiondiode

1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwodata linesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PESD5V0S2BT

300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs)

Features 300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent Lowcapacitance(Cj=120pFtyp.) Protectiontwodatalines IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EF

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)

PESD5V0S2BT-Q

LowcapacitancebidirectionaldoubleESDprotectiondiode

1.Generaldescription LowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotecttwodata linesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits

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PESD5V0S2UAT

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD5V0S2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES ?UnidirectionalESDprotectionofupt

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD5V0S2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES ?UnidirectionalESDprotectionofupt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PESD5V0S2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PESD5V0S2UAT

DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package

1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbene

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PESD5V0S2UAT-Q

DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package

1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbe

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PESD5V0S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl

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PESD5V0S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

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PESD5V0S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■UnidirectionalE

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PESD5V0S2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PESD5V0S2BQAZ

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    電路保護 > TVS - 二極管

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型：

    齊納

  • 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）：

    5V（最大）

  • 電壓 - 擊穿（最小值）：

    5.5V

  • 不同 Ipp 時電壓 - 箝位（最大值）：

    11.5V

  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)：

    17.5A（8/20μs）

  • 電源線路保護：

    無

  • 應(yīng)用：

    汽車級

  • 不同頻率時電容：

    35pF @ 1MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DFN1010D-3

  • 描述：

    TVS DIODE 5VWM 11.5VC DFN1010D-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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