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PE29102A-X

UltraCMOS? High-speed FET Driver, 40 MHz

Features ?High-andlow-sideFETdrivers ?Dead-timecontrol ?Fastpropagationdelay,9ns ?Tri-stateenablemode ?Sub-nanosecondriseandfalltime ?2A/4Apeaksource/sinkcurrent ?Package–flipchip Applications ?ClassDaudio ?DC–DCconversions ?AC–DCconversions ?Wirele

PSEMI

pSemi Corporation

PE29102A-X

Package：模具；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE

PSEMI

pSemi Corporation

29102BJA

2Kx8CMOSRAM

Features ?LowPowerStandby...................275μWMax ?LowPowerOperation..............55mW/MHzMax ?FastAccessTime.................120/200nsMax ?IndustryStandardPinout ?SingleSupply.......................

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

29102BJA

2Kx8CMOSRAM

Description TheHM-6516isaCMOS2048x8StaticRandomAccessMemory.ExtremelylowpoweroperationisachievedbytheuseofcomplementaryMOSdesigntechniques.Thislowpowerisfurtherenhancedbytheuseofsynchronouscircuittechniquesthatkeeptheactive(operating)powerlow,which

Intersil

Intersil Corporation

29102C

ShieldedSurfaceMountInductors

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

29102C

ShieldedSurfaceMountInductors

MURATA-PSMurata Power Solutions Inc.

村田村田制作所

ISL29102

LowPowerAmbientLight-to-VoltageNon-LinearConverter

Intersil

Intersil Corporation

ISL29102

LowPowerAmbientLight-to-VoltageNon-LinearConverter

TheISL29102isalowcostlight-to-voltagesiliconoptical sensorcombiningaphotodiodearray,anon-linearcurrent amplifierandamicro-poweropamponasinglemonolithic IC.Similartohumaneyes,thephotodiodearrayhaspeak sensitivityat550nmandspansfrom400nmto600nm, rejectin

Intersil

Intersil Corporation

ISL29102

LowPowerAmbientLight-to-VoltageNonlinearConverter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL29102IROZ-EVALZ

LowPowerAmbientLight-to-VoltageNonlinearConverter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL29102IROZ-EVALZ

LowPowerAmbientLight-to-VoltageNon-LinearConverter

TheISL29102isalowcostlight-to-voltagesiliconoptical sensorcombiningaphotodiodearray,anon-linearcurrent amplifierandamicro-poweropamponasinglemonolithic IC.Similartohumaneyes,thephotodiodearrayhaspeak sensitivityat550nmandspansfrom400nmto600nm, rejectin

Intersil

Intersil Corporation

ISL29102IROZ-EVALZ

LowPowerAmbientLight-to-VoltageNon-LinearConverter

Intersil

Intersil Corporation

PE29102

UltraCMOS?High-speedFETDriver,40MHz

Features ?High-andlow-sideFETdrivers ?Dead-timecontrol ?Fastpropagationdelay,9ns ?Tri-stateenablemode ?Sub-nanosecondriseandfalltime ?2A/4Apeaksource/sinkcurrent ?Package–flipchip Applications ?ClassDaudio ?DC–DCconversions ?AC–DCconversions ?Wirele

PSEMI

pSemi Corporation

PE29102A-Z

UltraCMOS?High-speedFETDriver,40MHz

Features ?High-andlow-sideFETdrivers ?Dead-timecontrol ?Fastpropagationdelay,9ns ?Tri-stateenablemode ?Sub-nanosecondriseandfalltime ?2A/4Apeaksource/sinkcurrent ?Package–flipchip Applications ?ClassDaudio ?DC–DCconversions ?AC–DCconversions ?Wirele

PSEMI

pSemi Corporation

TS29102CS

1.0AUltraLowDropoutPositiveVoltageRegulator

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PE29102A-X

  • 制造商：

    pSemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4V ~ 6V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.6V，1.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    2A，4A

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    900ps，900ps

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
pSemi
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更多PE29102A-X供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 10:02:00

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