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PDTC123JT

50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=47kΩ

1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JT 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducesco

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC123JT

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k?,R2=47k?

Featuresandbenefits *100mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *AEC-Q101qualified

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更多PDTC123EMB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-6 11:06:00

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