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PDTC115EMB

Marking：00110001；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC115EMB,315

Package：3-XFDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PDTC115ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTC115ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTC115ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=100k廓,R2=100k廓

NPNresistorequippedtransistor PDTC115EESOT416 PDTC115EEFSOT490 PDTC115EKSOT346 PDTC115EMSOT883 PDTC115ESSOT54(TO-92) PDTC115ETSOT23 PDTC115EUSOT323 ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?R

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTC115ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC115ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC115ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PDTC115ET

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTC115ET

NPNresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PDTC115EMB

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    TRANS NPN W/RES 50V SOT883B

  • 功能描述：

    TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B

  • 功能描述：

    TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B, Transistor

  • Polarity：

    NPN, Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo：

    50V, Transition Frequency

  • ft：

    230MHz, Power Dissipation

  • Pd：

    250mW, DC Collector

  • Current：

    20mA, DC Current Gain

  • hFE：

    80, Operating Temperature , RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TI/德州儀器
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更多PDTC115EMB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 11:05:00

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