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PDTB113ZQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ZQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ZQA_SER

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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PDTB113ZT

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113ZT

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD113ZT. 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTB113ZU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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PDTB113ZU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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PDTB113ZU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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PDTC113EE

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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PDTC113EK

PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PDTB113ET

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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更多PDTB113ET供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-17 18:18:00

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