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PDTD113E_SER

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTD113EK

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多PDTB113_SER供應(yīng)商 更新時間2025-7-9 9:25:00

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