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PDTA143EM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PDTA143EM
廠商型號(hào)

PDTA143EM

參數(shù)屬性

PDTA143EM 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k-ohm, R2 = 4.7 k-ohm

封裝外殼

3-XFDFN

文件大小

91.28 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-16 20:00:00

PDTA143EM規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning”for package details).

FEATURES

? Built-in bias resistors

? Simplified circuit design

? Reduction of component count

? Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

? General purpose switching and amplification

? Inverter and interface circuits

? Circuit driver.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTA143EMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    180MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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