PDTA123YS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PDTA123YS |
參數(shù)屬性 | PDTA123YS 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線 |
文件大小 |
123.21 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-29 11:30:00 |
PDTA123YS規(guī)格書詳情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistors (RET).
Features
■ Built-in bias resistors
■ Reduces component count
■ Simplifies circuit design
■ Reduces pick and place costs
Applications
■ General purpose switching and amplification
■ Circuit drivers
■ Inverter and interface circuits
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PDTA123YS,126
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
35 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
150mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1μA
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PhilipsSemiconducto |
22+ |
NA |
30000 |
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NXP |
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